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中来股份无锡论坛火爆,N型TOPCon技术万众瞩目

11月04日,第十六届中国太阳级硅及光伏发电研讨会在无锡君来世尊酒店揭开帷幕,中来股份承办的主题为“24%+效率 N 型 TOPCon 技术发展及量产化应用”分论坛现场火爆、座无虚席,吸引了众多光伏技术专家的关注与参与。

中来股份助理总经理陈嘉博士主持分论坛,并以本场主题“24%+效率 N 型TOPCon 技术发展及量产化应用”展开话题,向大家详细介绍了中来股份在N 型TOPCon 技术上的最新研究成果。

陈嘉博士介绍到:“N型TOPCon的极限效率可达28.7%,比PERC,HIT技术更接近晶硅极限水平,非常具有发展潜力,这也是中来一直专注于N型TOPCon技术研发的原因。中来TOPCon第一代产品基于LPCVD技术,电池平均效率达到23.85%;而新一代J-TOPCon 2.0技术基于无绕度、原位掺杂等技术,电池平均效率更是高达24.1%。”

陈博士进一步解释道,“中来新一代J-TOPCon2.0技术为解决N 型 TOPCon光伏产品量产瓶颈问题,与江苏杰太光电技术有限公司合作,利用其独创的线性等离子源技术,共同开发了一套全新的等离子氧化和等离子辅助的原位掺杂镀膜工艺(简称POPAID)。POPAID利用链式平台传输载板, 能够在不破真空情况下同时完成氧化和非晶硅掺杂,并且可以避免绕镀。这一创新将现有TOPCon工艺的12道工序缩减成9道,不仅可以提升效率和良率,还使成本上有了大幅降低。”

陈博士继续表示:“POPAID是一项伟大的创造,它实现了多项创新工艺,其中等离子氧化硅的形成(PO)对表面没有损伤、而且镀膜厚度在0.1nm精度范围,真正实现了亚纳米镀膜工艺控制。和常规高温氧化相比,隧穿钝化效果更加优越。达到了Voc 和FF的同时提升的效果,均匀性更佳。对于掺杂非晶硅镀膜(PAID),该设备采用等离子强化的镀膜工艺,实现掺杂的非晶硅膜沉积,退火后掺杂浓度可实现高达4x1020原子/CM3,是常规离子注入浓度的一倍以上。经整合两道工艺后,TOPCon电池效率超过常规离子注入0.2%以上,从开路电压(Voc),填充因子(FF)都能增加。良率也提高了2%。我们所做的一切努力都是为了推动N 型 TOPCon 技术的快速发展和量产化应用,我们也非常愿意跟同行分享最新研发成果,共同推动能源改革,为习主席提出的争取2060年前实现碳中和的伟大目标而努力。”

凭借这些年在N 型 TOPCon 技术研发上的巨大投入,中来股份一直在推动着N 型 TOPCon 技术的不断发展及量产化应用,目前已经具备2.4GW的N 型 TOPCon电池和组件的产能,已经成为全球最大的N 型 TOPCon电池和组件制造商。

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